SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提（tí）供（gòng）独立的高边、低边输出（chū）驱（qū）动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提（tí）供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电（diàn）平与（yǔ）标（biāo）准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动（dòng）器具有高脉冲电流（liú）缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导通。延（yán）时匹配很（hěn）方便应（yīng）用于高（gāo）频设备。浮（fú）动通道可用于驱动高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达600V。
为（wéi）自举供电（diàn）设计（jì）的浮（fú）动通道（dào）
全电压范围（wéi）运（yùn）行达600V
低VCC工作范围
允许瞬态负电压，不受（shòu）dV/dt影（yǐng）响
驱动电（diàn）源范围从（cóng）7V到20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输入有（yǒu）下拉电（diàn）阻的（de）COMS斯密特触发（fā）器（qì）
两通道间匹（pǐ）配传输延时
输入输出（chū）同相（xiàng）
典型开通/关断延时（shí）：170ns/170ns
典型驱动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
