SiLM27519 器件是单通（tōng）道高速低边（biān）门极（jí）驱动（dòng）器，可有（yǒu）效（xiào）驱动 MOSFET 和 IGBT 等功（gōng）率开关。SiLM27519 采（cǎi）用一（yī）种（zhǒng）能够从内部（bù）极大的降低（dī）直通电流的设计（jì），将高峰值（zhí）的源电流和灌电流脉（mò）冲提供给电容（róng）负（fù）载，以（yǐ）实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电（diàn）情（qíng）况下，能够提（tí）供 4A 的峰值源电流和 5A 的（de）峰值灌电流。
低（dī）成本的门（mén）极（jí）驱动方案可用于替（tì）代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值（zhí）源电（diàn）流和 5A 的峰值灌电流能（néng）力
快速的传输延时（典（diǎn）型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源（yuán）范围
VDD 欠压闭锁功能（néng）
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值
双输入设（shè）计(可选择反相或非（fēi）反（fǎn）相驱动配置（zhì）)
输（shū）入浮（fú）空时输出保持为（wéi）低（dī）
工作温度（dù）范围（wéi）为 -40°C 到（dào）140°C
提供 SOT23-5 的封装（zhuāng）选项
400 080 9938
